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a. physikalischer Aufbau der Halbleiterschichten,
b. Ersatzschaltbild,
c. Schaltsymbol
Die Vierschichtdiode, auch als Dinistor oder als Shockley-Diode bezeichnet (nach dem Physiker William B. Shockley), ist ein Silizium-Halbleiterbauteil mit vier Halbleiterzonen.[1][2] Die ersten Vierschichtdioden wurden Ende der 1950er Jahre von Shockley Semiconductor Laboratory hergestellt und waren mit die ersten aus Silizium hergestellten Halbleiterbauelemente.[3] Sie ist heute durch andere Halbleiterbauelemente, insbesondere den Diac, abgelöst und hat keine wirtschaftliche Bedeutung mehr.
Die Shockley-Diode ist nicht zu verwechseln mit der Schottky-Diode.
- ↑ Referenzfehler: Ungültiges
<ref>-Tag; kein Text angegeben für Einzelnachweis mit dem Namen vogel. - ↑ Referenzfehler: Ungültiges
<ref>-Tag; kein Text angegeben für Einzelnachweis mit dem Namen fischer. - ↑ Photo Essay – Shockley 4 Layer Diodes. Transistor Museum, zuletzt abgefragt am 16. April 2013 (engl.).